유명한 토토 사이트 볼 수 있는 서지、링깅의 거동을 시뮬레이션으로

전원 기기 지원
프린트 기판 유명한 토토 사이트 방법

과제

파워 디바이스의 고속 스위칭을 지원하는 PCB 개발

EV와 같은 이동성 및 로봇、전력 네트워크의 전동화 및 디지털화로、파워 일렉트로닉스 (파워 엘레) 기술의 수요가 증가하고 있습니다。특히、차세대 파워 디바이스(SiC)、GaN)은 고속 스위칭으로 기존 Si 디바이스에 비해 손실이 적습니다、변환 효율을 높일 수 있는 이점이 있음、주목받는 중。여기、프린트 유명한 토토 사이트의 기생성분(주로 배선의 인덕턴스 성분)이 크면、스위칭 노드에 큰 서지 전압 및 링잉이 발생함、회로 동작이 불안정해지거나、부품을 파괴하는 요인이 됩니다。

우리의 제안

이 문제를 해결하기 위해、당사에서는、기생 인덕턴스가 작아지는 패턴 유명한 토토 사이트 방법이나 유명한 토토 사이트 단계에서 전압·전류 파형、잡음 단자 전압을 시뮬레이션으로 예측하는 방법을 개발 중、사례 소개。

1. 소재

시판되는 SiC-MOSFET 탑재 하프 브리지형 DC-DC 보드를 소재로서、전압/전류 파형의 실측과 시뮬레이션을 비교했습니다。그림 1에 실측 환경(더블 펄스 시험)을 나타냅니다。회로 구동 조건은、드레인-소스 사이에 DC600V 입력、300V 출력 단자에 400uH와 300uF LC 평활 회로를 연결、부하 저항은 33Ω이었습니다。또、게이트 구동은 외부에서 함수 발생기를 사용하여 제어、게이트 전압도 외부에서 DC22V를 입력했습니다。시뮬레이션은、패턴 데이터를 기반으로 전자기장 분석에서 S-파라미터 추출、회로 시뮬레이터에서 파워 디바이스의 SPICE 모델 등과 통합、전압 및 전류 파형을 도출했습니다。

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그림 1 고전압·전류 측정 환경

2. 평가 결과

실측과 시뮬레이션을 비교한 결과、MOSFET의 드레인-소스 전압 및 전류 파형이 그림 2에 나와 있습니다。실측 파형에서 볼 수 있는 서지、링깅의 거동을 시뮬레이션으로 대체로 재현할 수 있음을 알 수 있습니다。또한、기판의 기생분(전자계 해석에서 추출한 S파라미터)을 사용하지 않는 경우는、이를 재현할 수 없음、기판의 기생분이 변하는 원인이 되는 패턴 유명한 토토 사이트가 중요한지 확인합니다。또、고정밀도의 전자기장 해석을 실시하기 위해、계산법(유한요소법이나 모멘트법)의 타당성에 대해서도 실측으로 검증하고 있습니다。

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그림 2 전압·전류 파형의 실측과 시뮬레이션 비교

그림 2 전압 파형의 실측과
시뮬레이션 비교

그림 2 전류 파형의 실측과
시뮬레이션 비교

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결과

파워 디바이스의 고속 스위칭에 따른 거동을 시뮬레이션으로 재현

시판되는 SiC-MOSFET 탑재 보드를 소재로、드레인 소스 간 전압·전류 파형의 실측과 시뮬레이션의 비교를 실시했습니다。전자기장 해석에서 인쇄 회로 유명한 토토 사이트의 기생 성분을 추출하여、드레인-소스 사이의 서지 전압 및 링잉을 시뮬레이션에서 대체로 재현할 수 있음을 확인했습니다。

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