설문 조사

EV 및 로봇 및 전력 네트워크와 같은 이동성의 전기 화 및 디지털화로 인해 전력 전자 기술에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 특히, 차세대 전력 장치 (SIC, GAN)는 기존의 SI 장치보다 손실이 적고 전환 효율을 높이는 이점이있는 고속 스위칭으로 인해 주목을 끌었습니다. 인쇄 회로 유명한 토토 사이트의 기생 구성 요소 (주로 배선 인덕턴스 구성 요소)가 크면 스위칭 노드에서 큰 서지 전압 또는 울림이 발생하여 회로 작동이 불안정 해지고 구성 요소가 파괴됩니다.

제안

1. 주제

우리는 Sic-Mosfet이 장착 된 상업적으로 이용 가능한 Half-Bridge DC-DC 유명한 토토 사이트를 사용하여 실제 전압 및 전류 파형 측정 및 시뮬레이션을 비교했습니다. 그림 1은 실제 측정 환경 (이중 펄스 테스트)을 보여줍니다. 회로 구동 조건은 드레인과 소스 사이에 600V DC를 입력하고 400UH 및 300UF LC 스무딩 회로가 300V 출력 단자에 연결되었고로드 저항은 33Ω이었다. 또한, 게이트 구동은 함수 발전기를 사용하여 외부로 제어되었고, 게이트 전압은 외부 DC22V에 입력되었다. 패턴 데이터를 기반으로 전자기장 분석을 사용하여 S- 파라미터를 추출하여 시뮬레이션을 수행하고, 회로 시뮬레이터를 사용하여 전력 장치의 향신료 모델과 통합하여 전압 및 전류 파형을 도출했습니다.

그림 1 고전압 및 전류 측정 환경

2. 평가 결과

실제 측정 및 시뮬레이션의 비교로서, MOSFET의 드레인 소스 전압 및 전류 파형이 그림 2에 나와 있습니다. 실제 측정 파형에서 볼 수있는 서지 및 울림의 동작은 일반적으로 시뮬레이션을 통해 재현 될 수 있음을 알 수 있습니다. 또한, 기판의 기생 구성 요소 (전자기장 분석에 의해 추출 된 S- 파라미터)가 사용되지 않으면, 이는 재현 할 수 없으며, 기판의 기생 구성 요소가 변화하는 패턴 유명한 토토 사이트가 중요하다는 것을 확인했다. 또한, 매우 정확한 전자기장 분석을 수행하기 위해 실제 측정을 통해 계산 방법 (유한 요소 방법 및 모멘트 방법)의 유효성도 검증됩니다.

그림 2 : 전압 및 전류 파형 및 시뮬레이션 비교의 실제 측정

그림 2 : 전압 파형의 실제 측정 및
시뮬레이션 비교

그림 2 : 전류 파형의 실제 측정 및
시뮬레이션 비교

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결과

우리는 상업적으로 이용 가능한 Sic-Mosfet가 장착 된 유명한 토토 사이트를 사용하여 드레인 소스와 시뮬레이션 사이의 전압 및 전류 파형의 실제 측정을 비교했습니다. 전자기장 분석을 사용하여 인쇄 회로 유명한 토토 사이트에서 기생 구성 요소를 추출함으로써, 우리는 드레인과 소스 사이의 서지 전압 및 링이 일반적으로 시뮬레이션을 통해 재현 될 수 있음을 확인했습니다.

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