유명한 토토 사이트 볼 수 있는 서지、링깅의 거동을 시뮬레이션으로

전원 기기 지원
프린트 기판 유명한 토토 사이트 방법

과제

파워 디바이스의 고속 스위칭을 지원하는 PCB 개발

EV와 같은 이동성 및 로봇、전력 네트워크의 전기화 및 디지털화로、파워 일렉트로닉스 (파워 엘레) 기술의 수요가 증가하고 있습니다。특히、차세대 파워 디바이스(SiC)、GaN)은 고속 스위칭으로 기존 Si 디바이스에 비해 손실이 적습니다、변환 효율을 높일 수 있는 이점이 있음、주목받고 있습니다。여기、유명한 토토 사이트의 기생분(주로 배선의 인덕턴스 성분)이 크면、스위칭 노드에 큰 서지 전압 및 링잉이 발생、회로 동작이 불안정해지거나、부품을 파괴하는 요인이 됩니다。

우리의 제안

이 문제를 해결하기 위해、당사에서는、기생 인덕턴스가 작아지는 패턴 유명한 토토 사이트 방법이나 유명한 토토 사이트 단계에서 전압·전류 파형、잡음 단자 전압을 시뮬레이션으로 예측하는 방법을 개발 중、사례를 소개합니다。

1. 소재

시판되는 SiC-MOSFET 탑재 하프 브리지형 DC-DC 보드를 소재로서、전압/전류 파형의 유명한 토토 사이트했습니다。그림 1에 실측 환경(더블 펄스 시험)을 나타냅니다。회로 구동 조건은、드레인-소스 사이에 DC600V 입력、300V 출력 단자에 400uH와 300uF의 LC 평활 회로를 연결、부하 저항은 33Ω이었습니다。또、게이트 구동은 외부에서 함수 발생기를 사용하여 제어、게이트 전압도 외부에서 DC22V를 입력했습니다。시뮬레이션은、패턴 데이터에 근거하여 전자기장 해석에서 S파라미터를 추출、회로 시뮬레이터에서 파워 디바이스의 SPICE 모델 등과 통합、전압 및 전류 파형을 도출했습니다。

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그림 1 고전압·전류 측정 환경

2. 평가 결과

실측과 시뮬레이션을 비교한 결과、MOSFET의 드레인-소스 전압 및 전류 파형이 그림 2에 나와 있습니다。실측 파형에서 볼 수 있는 서지、링깅의 거동을 시뮬레이션에서 대체로 재현할 수 있음을 알 수 있습니다。또한、기판의 기생분(전자계 해석에서 추출한 S파라미터)을 사용하지 않는 경우는、이를 재현할 수 없음、기판의 기생분이 변하는 원인이 되는 패턴 유명한 토토 사이트가 중요한지 확인합니다。또、고정밀 전자기장 해석을 위해、계산법(유한요소법이나 모멘트법)의 타당성에 대해서도 실측으로 검증하고 있습니다。

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그림 2 전압·전류 파형의 실측과 시뮬레이션 비교

그림 2 전압 파형의 실측과
시뮬레이션 비교

그림 2 전류 파형의 실측과
시뮬레이션 비교

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결과

파워 디바이스의 고속 스위칭에 따른 거동을 시뮬레이션으로 재현

시판되는 SiC-MOSFET 탑재 보드를 소재로、드레인 소스 간 전압·전류 파형의 실측과 시뮬레이션의 비교를 실시했습니다。전기장 해석에서 유명한 토토 사이트의 기생분을 추출하여、드레인-소스 사이의 서지 전압 및 링잉을 시뮬레이션에서 대체로 재현할 수 있음을 확인했습니다。

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