설문 조사

EV 및 로봇 및 전력 네트워크와 같은 이동성의 전기 화 및 디지털화로 인해 전력 전자 기술에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 특히, 차세대 전력 장치 (SIC, GAN)는 기존의 SI 장치보다 손실이 적고 전환 효율을 높이는 이점이있는 유명한 토토 사이트 스위칭으로 인해 주목을 끌었습니다.

제안

1.

우리는 Sic-Mosfet이 장착 된 상업적으로 이용 가능한 Half-Bridge DC-DC 보드를 사용하여 실제 전압 및 전류 파형 측정 및 시뮬레이션을 비교했습니다. 그림 1은 유명한 토토 사이트 환경 (이중 펄스 테스트)을 보여줍니다.

그림 1 고전압 및 전류 측정 환경

2.

유명한 토토 사이트 및 시뮬레이션의 비교로서 MOSFET의 드레인 소스 전압 및 전류 파형이 그림 2에 나와 있습니다. 유명한 토토 사이트 된 파형에서 볼 수있는 서지 및 울림의 동작은 일반적으로 시뮬레이션을 통해 재현 될 수 있음을 알 수 있습니다.

그림 2 : 전압 및 전류 파형 및 시뮬레이션 비교의 유명한 토토 사이트

그림 2 : 전압 파형의 유명한 토토 사이트 및
시뮬레이션 비교

그림 2 : 전류 파형의 유명한 토토 사이트 및
시뮬레이션 비교

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결과

우리는 상업적으로 이용 가능한 Sic-Mosfet가 장착 된 보드를 기반으로 드레인 소스와 시뮬레이션 사이의 전압 및 전류 파형의 실제 측정을 비교했습니다. 전자기장 분석을 사용하여 유명한 토토 사이트 회로 보드에서 기생 구성 요소를 추출함으로써, 우리는 드레인과 소스 사이의 서지 전압 및 링이 일반적으로 시뮬레이션을 통해 재현 될 수 있음을 확인했습니다.

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