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파워 디바이스의 고속 스위칭을 지원하는 PCB를 개발하고 싶습니다
EV 등의 모빌리티나 로봇, 전력 네트워크의 전동화·디지털화에 의해, 파워 일렉트로닉스(파워엘레) 기술의 수요가 증가하고 있습니다.특히, 차세대 파워 디바이스(SiC, GaN)는 고속 스위칭에 의해 종래 Si 디바이스에 비해 손실이 적음
이 문제를 해결하기 위해 당사는 기생 인덕턴스가 작아지는 패턴 유명한 토토 사이트 방법이나 유명한 토토 사이트 단계에서 전압·전류 파형, 잡음 단자 전압을 시뮬레이션에 의해 예측하는 방법을 개발하고 있어 그 사례를 소개합니다.
시판의 SiC-MOSFET 탑재 하프 브리지형 DC-DC 보드를 소재로 하여 전압·전류 파형의 실측과 시뮬레이션을 비교했습니다. 드레인 - 소스 사이에 DC600V를 입력, 300V 출력 단자에 400uH와 300uF LC 평활 회로를 연결
그림 1 고전압·전류 측정 환경
실측과 시뮬레이션의 비교 결과로서 MOSFET의 드레인-소스간 전압 및 전류 파형을 그림 2에 나타냅니다. 또한 기판의 기생성분(전자계해)
그림 2 전압·전류 파형의 실측과 시뮬레이션 비교
그림 2 전압 파형의 실측과
シミュレーション比較
그림 2 전류 파형의 실측과
シミュレーション比較
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파워 디바이스의 고속 스위칭에 따른 거동을 시뮬레이션으로 재현
시판의 SiC-MOSFET 탑재 보드를 소재로 하여 드레인 소스간 전압·전류 파형의 실측과 시뮬레이션의 비교를 실시했습니다. 소스 간의 서지 전압이나 링잉을 시뮬레이션으로 대체로 재현할 수 있는 것을 확인했습니다.
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