1. 소개

근래, 데이터 통신 속도의 비약적인 고속화에 따라, 속도나 전송 거리에 따라서는 광배선이 필요하다고 한다.

한편으로 기존의 구리 배선에 의한 고속 전송 대응도 진행되고 있어 반도체 디바이스 간의 신호의 입출력은 차동 전송으로 28Gbps, 싱글 엔드 전송으로 12Gbps가 실용화되기 시작하고 있다.

 

이러한 고속 신호 입출력이 있는 반도체 디바이스를 적절히 기능시키고 전송 파형이나 리턴 손실의 사양에 맞추기 위해서는 신호의 송신측(Tx)과 수신측(Rx)의 사이의 기판 배선, 커넥터, 케이블 등으로 구성되는 전송선로의 임피던스의 정합과 손실을 작게 할 필요가 있다.

2. 비아 스텁의 전송 특성

일반적인 전송선에서는 신호의 레이어간 전환을 실시하는 비아, 복수의 기판을 연결하는 커넥터, 패키지의 접속 부분이 임피던스 불연속을 일으키고 있어 이 중에서 토토 커뮤니티 사이트 기판 설계와 제조로 제어할 수 있다. 는 비아에 한정된다.
差動伝送において、スタブがないビアモデル、スタブがあるビアモデルを作成し、インピーダンスを比較した。 

그 결과, 비아스텁이 있는 전송로의 경우, 임피던스가 크게 저하하고 있는 것을 알 수 있다. . (그림 1-A)

한편, 전송 손실의 면에서 비교하면, 비아 스텁이 있는 경우, 비록 임피던스 정합을 하고 있는 비아라도, 그 스텁 길이가 1/4λ에 상당하는 주파수로 안테나가 되어, 공진이 발생 결과적으로 전송 손실이 현저히 감소합니다 (그림 1-B).

 

3. 백드릴 공법에 의한 비아의 전송 특성 개선

비어 스텁의 전송 특성 개선으로서, 스텁을 제거하는 백트 드릴이 일반적이다. 예를 들면, 제1층(표면)과 제3층을 접속하는 비아를 대상으로 하고, 스텁 제거 전후에서의 임피던스 특성 및 전송 특성의 비교를 도 2에 나타낸다.

백드릴 공법에 의한 비아 스텁 제거에 의해, 15GHz 이상의 주파수에서 20dB 정도 전송 특성을 개선할 수 있어 비아가 없는 표층(표면)과 표층(뒷면)을 접속하는 비아를 포함한 전송 특성과 동등한 물건을 얻었다.

 

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