技術資料

GaN 디바이스가 장착된 PCB의 패턴 꽁포 토토 사이트 최적화 검토

1. 소개

차세대 파워 디바이스의 등장에 따른 파워 엘리먼트 분야의 고주파화에 의해、이전에는 무시할 수 있었던 회로의 인덕턴스、커패시턴스、저항과 같은 기생성분의 영향이 나타난다。
이 때문에、이를 고려한 제품 꽁포 토토 사이트가 필요함、프린트 기판의 패턴 꽁포 토토 사이트 및 기판 사양도 중요해진다。
거기서、차세대 파워 디바이스 중 하나인 GaN을 이용한 파워 기판의 기본 회로를 소재로、시뮬레이션을 통한 꽁포 토토 사이트 최적화 수행、꽁포 토토 사이트 최적화 기법의 확립을 검토했다。

2.방법

기본 회로로、그림 1과 같이 단일 하프 브리지 회로 적용、상단 및 하단 GaN 디바이스를 하나의 게이트 드라이버 IC로 구동、게이트 신호는 단일 PWM 입력으로 설정。

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그림 1 기본 회로도

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그림 1 기본 회로도

공통 사양은 표 1에 나와 있다.

표 1 기본 사양

표 1 기본 사양

이 기본 회로에서、2개의 GaN 디바이스와 게이트 드라이버 IC 사이의 간격을 고정시켰을 때、입출력 단자 배치에 따른、최적 레이아웃 꽁포 토토 사이트 구현(그림 2)。

그림 2 최적화를 구현하는 레이아웃 4 조건

그림 2 최적화를 구현하는 레이아웃 4 조건

최적화 검증으로、①주요 배선(파워 루프),게이트 루프,메인 루프)의 인덕턴스, ② 실제 구동 조건에서 GaN 디바이스의 단자 간 전압 파형을 시뮬레이션을 사용하여 수행。

3.결과

각 조건을 비교한 결과、다음과 같음。
· 각 배선의 루프 인덕턴스는、B-1 조건이 작음、A-2 및 B-2 조건이 큰 경향이었다(그림 3)。

그림 3 최적화 레이아웃 시뮬레이션 결과(기생분)

그림 3 최적화 레이아웃 시뮬레이션 결과(기생분)

· 전압 파형의 과도 응답 특성은、B-1 조건이 종합적으로 가장 좋음、A-2 조건이 가장 나쁜 경향이었다(그림 4)。

그림 4 최적화 레이아웃 시뮬레이션 결과(전압 파형)

그림 4 최적화 레이아웃 시뮬레이션 결과(전압 파형)

위에서 다음 결론을 얻었다.
· 주요 배선의 루프 인덕턴스와 전압 파형의 과도 응답 특성은 상관 관계、과도 응답 특성을 개선하려면、루프 인덕턴스를 줄여야 함。
· 레이아웃 꽁포 토토 사이트 최적화、회로 특성 개선에 기여하는 것으로 밝혀졌지만、주요 부품 및 입출력 배치 등의 제약으로、진정한 최적화가 불가능할 수 있기 때문에、전체 최적화에도 유의해야 함。

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